NAND會出錯 SSD糾錯能力

來源:goldendisk 瀏覽:1288 發表時間:2021-01-22

我們知道,糾錯能力是一個SSD質量的重要指標。最開始的NAND每個存儲單元只放一個bit,叫SLC,后來又有了MLC,現在主流的是TLC。在存儲密度不斷增加的同時,器件尺寸變小,存儲單元電氣耦合性變得很復雜。比如氧化層變得很薄,比如讀取單個bit需要的讀電壓控制能力更精密等,總的來說, NAND flash更容易出錯了,或者說NAND上的噪聲增加了。

RBER( Raw Bit Error Rate)是衡量NAND質量的重要參數。給定RBER,可以比較各種糾錯算法的有效性,如圖9-26所示。 微信圖片_20210122173323.jpg

圖926曲線從右到左依次是BCHLDPC硬判決算法、LDPC軟判決算法,縱軸表示糾錯失敗的概率,橫軸表示RBER

 可以看到,LDPC軟判決算法由于有更多的信道信息,相對于BCH和LDPC硬判決算法更有優勢。


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